正在研发的第三代接近式光刻机与第二代接触式相同之处是都采用激光光源，不过光源生成原理不同，第三代采用的是气体激光发生器技术，能产生400n左右的波长，属于第一代uv紫外线光刻技术，其能够将工艺节点达到3至5微米，缺点是依旧无法分布光刻。

所谓分布式光刻，其实就是晶圆载台能够移动，并通过激光不停的投射将掩模版上的电路图像分布排列到晶圆上，减少了生产过程中人为操作和过程繁复对良率的影响。

简单点说，就是现下的光刻机，并不能一次性在整块晶圆上全部光刻完，只能一片片的生产芯片，这种技术的缺点就是，若大批量生产就需要大量光刻机，同时生产过程中良品率依旧需要提高。

第三代光刻机不用再将掩模版压到晶圆上，其掩模版与晶圆之间有间隙并不接触，所以需要的激光能束更高，光源发射器的组件也就不同，这种技术方式不仅能减少光刻中的掩模版损耗，光束漫射等问题，而且电路图案更清晰，良品率也会更高一旦该技术投入使用之后，就能够进行大规模集成电路生产了，生产成本将会大幅的降低，集成电路产品走进千家万户将不再是问题，而要进行超大规模的集成电路生产，其生产效率和良品率都需要进一步提高，这将是第四代光刻技术也即--分布式光刻机。

但分布式光刻机依旧不能一次在晶圆上刻蚀一个完整的电路图案，它虽能一次性在整个晶圆上进行图案刻蚀，但需要多重曝光来实现，而要实现每一次激光投射就完成一块芯片的刻蚀，这就需要引入下一代步进式光刻机技术。

中国能否实现跨代光刻技术发展，这需要看接下来对激光技术和机械技术的研究进度，若中国能在分布式光源技术上取得重大突破，那么就可以考虑直接迈过这一技术，从而进入下一代步进式光刻机技术，但这代技术对于激光性能和机械运动精度要求更高。

显然，方叶让许耀明进入光刻机项目，为的就是先解决未来步进式光刻机技术，这样一来芯片上晶体管叠加层级就会更多，生产效率也会更高，同时解决刻蚀精度的问题，最终芯片电路形成的问题就会被全部攻克。

不过就技术发展路径来看，最好还是先经过分布式光刻机技术，它能在大规模集成电路生产过程中，积累大尺寸晶圆光刻工艺技术，从而为下一代步进式技术的发展奠定坚实的基础。

方叶给许耀明放了三个月的带薪长期，不过他并没有接触，表示休息一个月即可，而方叶也给他下达了一个任务，尽快解决个问题，对此许耀明倒是没有什么感觉，他更愿意投入研究工作之中，觉得解决技术问题比谈情说爱更有意思。

当许耀明搭上回乡的公交之后，方叶找来了集团人力资源总监对他说道:“人力资源部在集团里找找，看看有没有合适的未婚姑娘介绍给许耀明同志，要求本科毕业，性格好，情绪稳定，长像端正，若是找到了跟我说。

“请董事长放心，许耀明同志的另一伴就交给我们了。≈ot;一旁的人力总监笑道。

方叶点了点头说道:“他都34岁了，老大不小的，再不结婚难不成打一辈子光棍?何况当年是我派他到国外留学的，他的人生轨迹我负有责任。

这年代的科技工作者对祖国的发展满腔热忱，许多人一心扑在研究 本章尚未完结,请点击下一页继续阅读---->>>

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